Metal-Oxide-SemICuyobora imiterere ya kristu ya tristoriste isanzwe izwi nkaBYINSHI, aho MOSFETs igabanijwemo P-MOSFETS na N-MOSFETS. Imiyoboro ihuriweho igizwe na MOSFET nayo yitwa MOSFET ihuza imiyoboro, hamwe na MOSFET ifitanye isano ya hafi igizwe na PMOSFETs naNMOSFETs bita imiyoboro ya CMOSFET.
MOSFET igizwe na p-ubwoko bwa p na substrate ebyiri n-gukwirakwiza ahantu hamwe nibiciro byibanze byitwa n-umuyoboroBYINSHI, hamwe numuyoboro uyobora uterwa numuyoboro wubwoko bwa n uterwa ninzira n-gukwirakwiza inzira ebyiri n-gukwirakwiza inzira zifite agaciro gakomeye iyo umuyoboro uyobora. n-umuyoboro mwinshi MOSFETs ifite n-umuyoboro uterwa numuyoboro uyobora iyo kubogama kwicyerekezo cyiza kizamurwa bishoboka bishoboka kumuryango kandi gusa mugihe ibikorwa byamasoko bisaba imbaraga zumuriro urenze voltage yumupaka. n-umuyoboro wa depletion MOSFETs nizo zititeguye kuri voltage yumuryango (imikorere y amarembo isaba voltage ikora ya zeru). Umuyoboro wa n-umuyoboro MOSFET ni umuyoboro n-umuyoboro wa MOSFET aho umuyoboro uyobora uterwa mugihe voltage yumuryango (isoko yumuryango isabwa gukora voltage ikora ni zeru).
Imiyoboro ya NMOSFET ihuriweho ni N-umuyoboro wa MOSFET itanga amashanyarazi, imiyoboro ya NMOSFET ihuriweho, irwanya iyinjira ni ryinshi cyane, umubare munini ntugomba gusya kwinjiza amashanyarazi, bityo rero CMOSFET na NMOSFET zuzuzanya zahujwe bitabaye ngombwa ko zifata. konte umutwaro wumuriro wamashanyarazi.NMOSFET yumuzunguruko wuzuye, igice kinini cyihitirwa ryitsinda rimwe ryiza ryoguhindura amashanyarazi yumuzunguruko w'amashanyarazi Amashanyarazi menshi ya NMOSFET akoresha imiyoboro imwe ihinduranya amashanyarazi itanga amashanyarazi, kandi kuri 9V kubindi byinshi. Imiyoboro ya CMOSFET ikeneye gusa gukoresha uburyo bumwe bwo guhinduranya amashanyarazi atangwa nkumuzunguruko wa NMOSFET, ushobora guhuzwa numuyoboro uhuriweho na NMOSFET ako kanya. Ariko, kuva NMOSFET kugeza kuri CMOSFET ihita ihuzwa, kubera ko NMOSFET isohoka yo gukururwa iruta munsi ya CMOSFET ihuriweho n’umuzunguruko urufunguzo rwo gukurura, gerageza rero ushyire mu bikorwa itandukaniro rishobora gukurura R, agaciro ka ristoriste R ni muri rusange 2 kugeza 100KΩ.
Kubaka N-umuyoboro mwinshi MOSFETs
Kuri P-ubwoko bwa silicon substrate ifite agaciro gake ka doping, uturere tubiri N dufite agaciro gakomeye ka doping, kandi electrode ebyiri zivanwa mubyuma bya aluminiyumu kugirango zibe imiyoboro d nisoko s.
Noneho mugice cya semiconductor hejuru yerekana masike yoroheje cyane ya silika insulasiyo, mumiyoboro - imiyoboro itanga insimburangingo hagati yumuyoboro nisoko yandi mashanyarazi ya aluminium, nk irembo g.
Muri substrate kandi iyobora electrode B, igizwe na N-umuyoboro mwinshi MOSFET. Inkomoko ya MOSFET hamwe na substrate muri rusange byahujwe hamwe, igice kinini cyumuyoboro muruganda umaze igihe kinini uyihuza nacyo, irembo ryacyo hamwe nandi mashanyarazi bigizwe hagati yikibaho.
Igihe cyo kohereza: Gicurasi-26-2024
