ImbaragaBYINSHI ni een relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" ni de Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" afkorting. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel umuryango het metaal materiaal, SiO2 ya SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan umusaruro, en ze zijn ingedeeld muri vele manieren, waarin muri de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld muburyo bwa verbeterde muburyo bwa vergerede. Ubwoko bwa N-kanaal en P-kanaal.
Imbaraga MOSFET yamagambo hejuru ya het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Hejuru ya algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS (ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS (ON) ni ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. De Data Information Guide definieert RDS (ON) muri relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom ipfa umuryango de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS (ON) ni een relatieve statische gegevensparameter voor voldoende amarembo atwara.
Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voiling wil ontwikkelen yahuye na minimale ontwerpspecificaties en kosten, ni een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een igomba. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET's parallel laten werken en moeten meerdere igaragara yamagambo gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Muri veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET muri serie schakelen zodat de RDS (ON) redelijk kan worden gereduceerd.
Naast RDS (ON), muri het hele proces van MOSFET ihitamo, zijn er ook een aantal ibipimo bya MOSFET zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. Muri veel gevallen moeten ontwerpers yagiye letten op de SOA-grafiek muri de Data Information Guide, gupfa de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.
Kubwoko bwavuzwe haruguru bwimiterere yimitwaro, nyuma yo kugereranya (cyangwa gupima) nini nini ikora, hanyuma ugasiga intera ya 20% kugeza 30%, urashobora kwerekana agaciro gakenewe ka VDS agaciro ka MOSFET. Hano tugomba kuvuga ni uko, kugirango turusheho gukomera nigiciro cyoroshye, birashobora gutoranya muri AC ya seriveri ya none ya diode hamwe na inductors mugusoza ibice bigize igenzura ryubu, kurekura imbaraga za inductive current kinetic kugirango ukomeze BYINSHI. igipimo cyagenwe kirasobanutse, ikigezweho kirashobora kugabanywa. Ariko hano igomba kuzirikana ibipimo bibiri: kimwe nigiciro cyubu mugikorwa gikomeza kandi nigiciro cyinshi cyumuvuduko umwe wa spike (Spike na Surge), ibi bipimo byombi kugirango uhitemo umubare ugomba guhitamo agaciro kagereranijwe ka agaciro kagezweho.
Igihe cyo kohereza: Gicurasi-27-2024
