Urujya n'uruza rwa MOSFET

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:BYINSHI lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, bapfa het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de metero bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand ya oneindig, dan is de deBYINSHI lekkage; zal niet veranderen ni er geen ikibazo;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET irembo en bron polen yahuye na elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET ni geen ikibazo;

3, de rode ikaramu naar de bron van de MOSFET S, de zwarte ikaramu naar de afvoer van de MOSFET, een goede metero inkoni iranga moet geen grote armen;

4, yahuye na een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden yahuye na gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte ikaramu aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meteropaal ikimenyetso kirangiye het algemeen zal 0 zijn, op het umwanya ni onder de positieve elektriciteit op ishingiro van deze weerstand aan de MOSFET irembo batterij opladen, wat resulteert muri de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend muri geleidingsvermogen sectie veroorzaakt umuryango de drain en bron pool pass, zodat de digitale multimeter metero pisine kubogama, bias hoe groter de gezichtshoek, hoe hog laden en ontladen kenmerken.